Article Dans Une Revue
Applied Physics Letters
Année : 2007
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https://hal.science/hal-00255781
Soumis le : jeudi 14 février 2008-10:08:29
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
D. Vignaud, Dmitri Yarekha, Jean-Francois Lampin, M. Zaknoune, S. Godey, et al.. Electron lifetime measurements of heavily C-doped InGaAs and GaAsSb as a function of the doping density. Applied Physics Letters, 2007, 90, pp.242104-1-3. ⟨10.1063/1.2748336⟩. ⟨hal-00255781⟩
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