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Communication Dans Un Congrès Année : 2002

Luminescence properties of InAs dots grown by molecular beam epitaxy on metamorphic InxAl1-xAs (0.33 < x < 0.52) buffer layers

D. Vignaud
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
Y. Cordier
P. Miska
  • Fonction : Auteur
D. Ferré
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00250216

Soumis le : lundi 11 février 2008-11:26:41

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00250216 , version 1 (11-02-2008)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00250216 , version 1

Citer

D. Vignaud, Y. Cordier, P. Miska, D. Ferré. Luminescence properties of InAs dots grown by molecular beam epitaxy on metamorphic InxAl1-xAs (0.33 < x < 0.52) buffer layers. 28th International Symposium on Compound Semiconductors, 2002, Japan. pp.537-542. ⟨hal-00250216⟩

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