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Article Dans Une Revue Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015) Année : 2002

Experimental study of hot-electron inelastic scattering rate in p-type InGaAs

D. Sicault
  • Fonction : Auteur
R. Teissier
F. Pardo
  • Fonction : Auteur
J.L. Pelouard
  • Fonction : Auteur
F. Mollot
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

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https://hal.science/hal-00250208

Soumis le : lundi 11 février 2008-11:17:47

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00250208 , version 1 (11-02-2008)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00250208 , version 1

Citer

D. Sicault, R. Teissier, F. Pardo, J.L. Pelouard, F. Mollot. Experimental study of hot-electron inelastic scattering rate in p-type InGaAs. Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015), 2002, 65, pp.121301/1-4. ⟨hal-00250208⟩

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