Characterization and analysis of trap-related effects in AlGaAs-GaN HEMTs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Microelectronics Reliability Année : 2007

Characterization and analysis of trap-related effects in AlGaAs-GaN HEMTs

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Nathalie Labat  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00199736

Soumis le : mercredi 19 décembre 2007-14:26:01

Dernière modification le : mercredi 2 août 2023-16:40:25

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00199736 , version 1 (19-12-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00199736 , version 1

Citer

Mohamed Faqir, G. Verzellesi F. Fantini F. Danesin F. Rampazzo G. Meneghesso E. Zanoni A. Cavallini A. Castaldini, Nathalie Labat, Christian Dua, A. Touboul. Characterization and analysis of trap-related effects in AlGaAs-GaN HEMTs. Microelectronics Reliability, 2007, 47, pp.1639-1642. ⟨hal-00199736⟩

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