High Performance 15-V Novel LDMOS Transistor Architecture in a 0.25µm BiCMOS Process for RF Power Applications. - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electron Devices Année : 2007

High Performance 15-V Novel LDMOS Transistor Architecture in a 0.25µm BiCMOS Process for RF Power Applications.

D. Muller
  • Fonction : Auteur
A. Giry
  • Fonction : Auteur
F. Judong
  • Fonction : Auteur
C. Rossato
  • Fonction : Auteur
F. Blanchet
  • Fonction : Auteur
B. Szelag
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A. Monroy Aguirre
  • Fonction : Auteur
Raphaël Sommet
C2S2
CV
D. Pache
  • Fonction : Auteur
O. Noblanc
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00198576

Soumis le : lundi 17 décembre 2007-15:44:21

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:49

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00198576 , version 1 (17-12-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00198576 , version 1

Citer

D. Muller, A. Giry, F. Judong, C. Rossato, F. Blanchet, et al.. High Performance 15-V Novel LDMOS Transistor Architecture in a 0.25µm BiCMOS Process for RF Power Applications.. IEEE Transactions on Electron Devices, 2007, 54, pp.861 - 868. ⟨hal-00198576⟩

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