Study of passivation defects by electroluminescence in AlGaN/GaN HEMTs on SiC - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Microelectronics Reliability Année : 2007

Study of passivation defects by electroluminescence in AlGaN/GaN HEMTs on SiC

Moshine Bouya
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
Dominique Carisetti
  • Fonction : Auteur
Nathalie Malbert
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
Nathalie Labat
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 845366
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
Philippe Perdu
  • Fonction : Auteur
Jean-Claude Clement
  • Fonction : Auteur
Michel Bonnet
  • Fonction : Auteur
Gerard Pataut
  • Fonction : Auteur

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Nathalie Labat  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00197479

Soumis le : vendredi 14 décembre 2007-15:31:00

Dernière modification le : mercredi 2 août 2023-16:40:25

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00197479 , version 1 (14-12-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00197479 , version 1

Citer

Moshine Bouya, Dominique Carisetti, Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Philippe Perdu, et al.. Study of passivation defects by electroluminescence in AlGaN/GaN HEMTs on SiC. Microelectronics Reliability, 2007, 47, pp.1631-1633. ⟨hal-00197479⟩

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