Croissance de semi-conducteurs à grand gap

Jean-Marc Dedulle (1) , Didier Chaussende (2, 1) , Romain Madar (3) , Michel Pons (4) , Elisabeth Blanquet , Francis Baillet (4) , Guy Chichignoud (4) , M. Ucar-Morais (5) , Arnaud Claudel (6)

1 LMGP - Laboratoire des matériaux et du génie physique
2 SIMaP - Science et Ingénierie des Matériaux et Procédés
3 LPC - Laboratoire de Physique de Clermont
4 SIMaP - Science et Ingénierie des Matériaux et Procédés
5 Technolac - Savoie Technolac
6 NEEL- EpiCM - Epitaxie et couches minces

La modélisation et la simulation des procédés de croissance tel que le transport physique en phase vapeur (PVT), le dépôt chimique en phase vapeur (CVD ou HTCVD) et les techniques hybrides (CFPVT), sont suffisamment au point pour être utilisées comme des outils de compréhension des phénomènes physiques couplés et comme des outils de conception de nouveaux procédés et d'optimisation de procédés existants. La modélisation des procédés d'élaboration rassemble plusieurs voies physico-chimiques de complexité variable, depuis des études thermodynamiques et/ou cinétiques jusqu'aux transferts simultanés de matière et de chaleur couplées avec les bases de données et propriétés thermodynamiques et/ou cinétiques et de transport. Différentes voies de modélisation sont utilisées, thermodynamiques, cinétique ou transfert de masse, de façon couplée ou découplée, permettant de visualiser l'évolution de la croissance et ainsi comprendre le rôle complexe et fortement couplé des phénomènes.

Mots clés: Croissance SiC / AlN; PVT / CVD; Modélisation

Domaines: Mécanique [physics]

Jean-Marc Dedulle, Didier Chaussende, Romain Madar, Michel Pons, Elisabeth Blanquet, et al.. Croissance de semi-conducteurs à grand gap. CFM 2007 - 18ème Congrès Français de Mécanique, Aug 2007, Grenoble, France. ⟨hal-03360397⟩