Interface Acoustic Wave Devices Made by Indirect Bonding of Lithium Niobate on Silicon - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2006
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00195068 , version 1 (08-12-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00195068 , version 1

Citer

Hicham Majjad, Dorian Gachon, Sylvain Ballandras, Vincent Laude. Interface Acoustic Wave Devices Made by Indirect Bonding of Lithium Niobate on Silicon. IEEE Ultrason. Symp., 2006, Vancouver, Canada. pp.1193-1196. ⟨hal-00195068⟩
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