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Communication Dans Un Congrès Année : 2007

Characterisation of silicon nitride thin films used as stressor liners on CMOS FETS: measurement of Young's modulus and hardness

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Matériaux Génie des procédés

Yannick Champion  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00194742

Soumis le : vendredi 7 décembre 2007-13:09:39

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:13

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00194742 , version 1 (07-12-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00194742 , version 1

Citer

G. Raymond, Pascal Morin, E. Lafosse, D. Hess, M. Braccini, et al.. Characterisation of silicon nitride thin films used as stressor liners on CMOS FETS: measurement of Young's modulus and hardness. Journées Annuelles SF2M 2007, Jun 2007, France. ⟨hal-00194742⟩

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