Off-state and on-state breakdown in GaAs MESFET, PHEMT and power PHEMT - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue physica status solidi (c) Année : 2006

Off-state and on-state breakdown in GaAs MESFET, PHEMT and power PHEMT

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Nathalie Labat  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00185717

Soumis le : mardi 6 novembre 2007-19:27:22

Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:11

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Dates et versions

hal-00185717 , version 1 (06-11-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00185717 , version 1

Citer

N. Ismaïl, N. Malbert, N. Labat, A. Touboul, J.L. Muraro. Off-state and on-state breakdown in GaAs MESFET, PHEMT and power PHEMT. physica status solidi (c), 2006, 49 (3), pp.499-503. ⟨hal-00185717⟩

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