Mécanisme de défaillance de l IGBT Trench en mode de court-circuit après ouverture - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2006
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00185570 , version 1 (06-11-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00185570 , version 1

Citer

Adel Benmansour, Stéphane Azzopardi, Jean-Christophe Martin, Eric Woirgard. Mécanisme de défaillance de l IGBT Trench en mode de court-circuit après ouverture. Electronique de Puissance du Futur, 2006, France. pp.1. ⟨hal-00185570⟩
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