A non-destructive technological parameters extraction method for 2-D physically-based punch-through IGBT simulation - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Solid-State Electronics Année : 2000

A non-destructive technological parameters extraction method for 2-D physically-based punch-through IGBT simulation

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Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-00185568

Soumis le : mardi 6 novembre 2007-13:52:43

Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:11

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Dates et versions

hal-00185568 , version 1 (06-11-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00185568 , version 1

Citer

Stéphane Azzopardi, M. Trivedi, K. Shenai, Christian Zardini. A non-destructive technological parameters extraction method for 2-D physically-based punch-through IGBT simulation. Solid-State Electronics, 2000, 44, pp.1899-1908. ⟨hal-00185568⟩

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