Bias dependence of LF drain and gate noise in GaN HEMT s

Nathalie Malbert (1) , Nathalie Labat (1) , Arnaud Curutchet (1) , Frédéric Verdier (1) , Andre Touboul (1)

1 IMS - Laboratoire de l'intégration, du matériau au système

Domaines: Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Arnaud Curutchet, Frédéric Verdier, Andre Touboul. Bias dependence of LF drain and gate noise in GaN HEMT s. Fluctuation and Noise Conference, 2004, Spain. pp.1. ⟨hal-00183566⟩