Molecular beam epitaxy of high quality InGaN alloys using ammonia : Optical and structural properties - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue MRS Internet J. Nitride Semicond. Res Année : 1999

Molecular beam epitaxy of high quality InGaN alloys using ammonia : Optical and structural properties

N. Grandjean
J. Massies
  • Fonction : Auteur
M. Leroux
  • Fonction : Auteur
P. Vennegues
  • Fonction : Auteur
S. Dalmasso
  • Fonction : Auteur
Lionel Hirsch
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
Albert-Serge Barriere
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système

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Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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Soumis le : mardi 30 octobre 2007-09:07:36

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Dates et versions

hal-00183551 , version 1 (30-10-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00183551 , version 1

Citer

N. Grandjean, J. Massies, M. Leroux, P. Vennegues, S. Dalmasso, et al.. Molecular beam epitaxy of high quality InGaN alloys using ammonia : Optical and structural properties. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res, 1999, 1, pp.1. ⟨hal-00183551⟩

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