Article Dans Une Revue
J. of Appl. Phys
Année : 2002
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https://hal.science/hal-00183530
Soumis le : mardi 30 octobre 2007-09:06:53
Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:11
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00183530 , version 1
Citer
Lionel Hirsch, P. Moretto, J.Y. Duboz, J.L. Reverchon, B. Damilano, et al.. Field distribution and collection efficiency in an AlGaN Metal-Semiconductor-Metal detector. J. of Appl. Phys, 2002, 1, pp.1. ⟨hal-00183530⟩
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