Communication Dans Un Congrès
Année : 2000
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https://hal.science/hal-00183517
Soumis le : mardi 30 octobre 2007-08:52:58
Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:11
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00183517 , version 1
Citer
Benoit Lambert, Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Andre Touboul, Pierre Huguet. Breakdown voltage of AlGaAs/InGaAs HEMT submitted to life-tests in impact ionization regime. IEEE GaAs Reliability Workshop, 2000, États-Unis. pp.1. ⟨hal-00183517⟩
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