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Communication Dans Un Congrès Année : 2003

Analyse du bruit basses fréquences du courant de drain de HEMTs AlGaN/GaN sur substrats silicium et saphir

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00183507 , version 1 (30-10-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00183507 , version 1

Citer

Arnaud Curutchet, Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Andre Touboul, Christophe Gaquière, et al.. Analyse du bruit basses fréquences du courant de drain de HEMTs AlGaN/GaN sur substrats silicium et saphir. XIIIèmes Journées Nationales Microondes, 2003, France. pp.1. ⟨hal-00183507⟩
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