Analysis of Low Frequency Drain current Noise in AlGaN/GaN HEMTs on Si Substrate - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Fluctuation and Noise Letters Année : 2004

Analysis of Low Frequency Drain current Noise in AlGaN/GaN HEMTs on Si Substrate

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Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-00183491

Soumis le : mardi 30 octobre 2007-08:52:44

Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:11

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Dates et versions

hal-00183491 , version 1 (30-10-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00183491 , version 1

Citer

Arnaud Curutchet, Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Andre Touboul, Christophe Gaquière, et al.. Analysis of Low Frequency Drain current Noise in AlGaN/GaN HEMTs on Si Substrate. Fluctuation and Noise Letters, 2004, 4, pp.1. ⟨hal-00183491⟩

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