Safe operating area of GaAs MESFET and PHEMT for amplification in overdrive operating conditions - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Microelectronics Reliability Année : 2005

Safe operating area of GaAs MESFET and PHEMT for amplification in overdrive operating conditions

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-00183490

Soumis le : mardi 30 octobre 2007-08:52:42

Dernière modification le : mercredi 2 août 2023-16:40:25

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00183490 , version 1 (30-10-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00183490 , version 1

Citer

Naoufel Ismail, Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Andre Touboul, Jean-Luc Muraro, et al.. Safe operating area of GaAs MESFET and PHEMT for amplification in overdrive operating conditions. Microelectronics Reliability, 2005, 1, pp.1611-1616. ⟨hal-00183490⟩

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