Evolution of base current in C-In doped GaInP/GaAs HBT under current induced stress

Type de document :
Communication dans un congrès
European Solid State Device Research Conference (Ed. Frontières), ESSDERC, 1998, France. NC, pp.1, 1998
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Soumis le : mardi 30 octobre 2007 - 08:47:40
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  • HAL Id : hal-00183480, version 1

Citation

Cristell Maneux, Nathalie Labat, Pascal Fouillat, Andre Touboul, Yves Danto. Evolution of base current in C-In doped GaInP/GaAs HBT under current induced stress. European Solid State Device Research Conference (Ed. Frontières), ESSDERC, 1998, France. NC, pp.1, 1998. 〈hal-00183480〉

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