Communication Dans Un Congrès
Année : 1999
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https://hal.science/hal-00183475
Soumis le : mardi 30 octobre 2007-08:47:39
Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:11
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00183475 , version 1
Citer
Cristell Maneux, Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Andre Touboul, Yves Danto, et al.. Analysis of Two Degradation Mechanisms in GaInP/GaAs Fully Planar HBT Technology. State-Of-The-Art Program on compound Semiconductros XXX, Ed. Electrochem. Soc, 1999, États-Unis. pp.1. ⟨hal-00183475⟩
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