Low temperature homoepitaxy of GaN by LP-MOVPE using Dimethylhydrazine and Nitrogen

Type de document :
Communication dans un congrès
EMRS spring meeting, 2006, Nice, France
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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00181889
Contributeur : Jean Paul Salvestrini <>
Soumis le : mercredi 24 octobre 2007 - 16:28:30
Dernière modification le : jeudi 5 avril 2018 - 12:30:20

Identifiants

  • HAL Id : hal-00181889, version 1

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Citation

C. Sartel, S. Gautier, S. Ould Saad Hamady, N. Maloufi, J. Martin, et al.. Low temperature homoepitaxy of GaN by LP-MOVPE using Dimethylhydrazine and Nitrogen. EMRS spring meeting, 2006, Nice, France. 〈hal-00181889〉

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