MOVPE growth of wide bandgap materials containing boron B(Al)GaN for compact Ultraviolet lasers

Type de document :
Communication dans un congrès
PHysics & Applications of SEmiconductor LASERs, 2005, Metz, France
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Contributeur : Jean Paul Salvestrini <>
Soumis le : mercredi 24 octobre 2007 - 16:16:09
Dernière modification le : jeudi 5 avril 2018 - 12:30:20

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  • HAL Id : hal-00181871, version 1

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S. Gautier, C. Sartel, S. Ould-Saad Hamady, A. Ougazzaden. MOVPE growth of wide bandgap materials containing boron B(Al)GaN for compact Ultraviolet lasers. PHysics & Applications of SEmiconductor LASERs, 2005, Metz, France. 〈hal-00181871〉

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