Article Dans Une Revue
Journal of Crystal Growth
Année : 2007
Jean Paul Salvestrini : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00181789
Soumis le : mercredi 24 octobre 2007-15:21:56
Dernière modification le : jeudi 19 octobre 2023-15:45:07
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00181789 , version 1
Citer
S. Gautier, C. Sartel, S. Ould-Saad Hamady, J. Martin, A. Sirenko, et al.. GaN materials growth by MOVPE in a new design of reactor using DMHy and NH3. Journal of Crystal Growth, 2007, 298, pp.428-432. ⟨hal-00181789⟩
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