GaN materials growth by MOVPE in a new design of reactor using DMHy and NH3

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Journal of Crystal Growth, Elsevier, 2007, 298, pp.428-432
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Contributeur : Jean Paul Salvestrini <>
Soumis le : mercredi 24 octobre 2007 - 15:21:56
Dernière modification le : jeudi 5 avril 2018 - 12:30:20

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  • HAL Id : hal-00181789, version 1

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S. Gautier, C. Sartel, S. Ould-Saad Hamady, J. Martin, A. Sirenko, et al.. GaN materials growth by MOVPE in a new design of reactor using DMHy and NH3. Journal of Crystal Growth, Elsevier, 2007, 298, pp.428-432. 〈hal-00181789〉

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