Progress on new wide bandgap materials BGaN, BGaAlN and their potential applications

Type de document :
Communication dans un congrès
Symposium on Integrated Optoelectronic Devices, 2007, San Jose, United States
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Contributeur : Jean Paul Salvestrini <>
Soumis le : mercredi 24 octobre 2007 - 11:22:35
Dernière modification le : jeudi 5 avril 2018 - 12:30:20

Identifiants

  • HAL Id : hal-00181651, version 1

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Citation

A. Ougazzaden, S. Gautier, T. Aggerstam, J. Martin, S. Ould Saad Hamadi, et al.. Progress on new wide bandgap materials BGaN, BGaAlN and their potential applications. Symposium on Integrated Optoelectronic Devices, 2007, San Jose, United States. 〈hal-00181651〉

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