Analysis of low frequency drain current noise in AlGaN/GaN HEMTs on Si substrate - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Fluctuation and Noise Letters Année : 2004

Analysis of low frequency drain current noise in AlGaN/GaN HEMTs on Si substrate

N. Malbert
  • Fonction : Auteur
N. Labat
  • Fonction : Auteur
A. Curutchet
  • Fonction : Auteur
A. Touboul
Christophe Gaquière
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
A. Minko
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00162793

Soumis le : lundi 16 juillet 2007-10:40:26

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00162793 , version 1 (16-07-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00162793 , version 1

Citer

N. Malbert, N. Labat, A. Curutchet, A. Touboul, Christophe Gaquière, et al.. Analysis of low frequency drain current noise in AlGaN/GaN HEMTs on Si substrate. Fluctuation and Noise Letters, 2004, 4, pp.L319-L328. ⟨hal-00162793⟩

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