ANN model for AlGaN/GaN HEMTs constructed from near-optimal-load large-signal measurements - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2003

ANN model for AlGaN/GaN HEMTs constructed from near-optimal-load large-signal measurements

D. Schreurs
  • Fonction : Auteur
J. Verspecht
  • Fonction : Auteur
E. Vandamme
  • Fonction : Auteur
N. Vellas
  • Fonction : Auteur
Christophe Gaquière
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
Marie Germain
G. Borghs
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00162739

Soumis le : lundi 16 juillet 2007-09:58:24

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00162739 , version 1 (16-07-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00162739 , version 1

Citer

D. Schreurs, J. Verspecht, E. Vandamme, N. Vellas, Christophe Gaquière, et al.. ANN model for AlGaN/GaN HEMTs constructed from near-optimal-load large-signal measurements. 2003, pp.447-450. ⟨hal-00162739⟩

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