Realization of waveguiding epitaxial GaN layers on Si by low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2003

Realization of waveguiding epitaxial GaN layers on Si by low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy

H.P.D. Schenk
  • Fonction : Auteur
E. Feltin
  • Fonction : Auteur
M. Laugt
  • Fonction : Auteur
O. Tottereau
  • Fonction : Auteur
P. Vennegues
  • Fonction : Auteur
El Hadj Dogheche
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

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https://hal.science/hal-00162728

Soumis le : lundi 16 juillet 2007-09:43:36

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00162728 , version 1 (16-07-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00162728 , version 1

Citer

H.P.D. Schenk, E. Feltin, M. Laugt, O. Tottereau, P. Vennegues, et al.. Realization of waveguiding epitaxial GaN layers on Si by low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy. Applied Physics Letters, 2003, 83, pp.5139-5141. ⟨hal-00162728⟩

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