Spatial mapping of electroluminescence due to impact ionization effect in high electron mobility transistors - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Applied Spectroscopy Année : 2000

Spatial mapping of electroluminescence due to impact ionization effect in high electron mobility transistors

Christophe Gaquière
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
B. Boudart
P.A. Dhamlincourt
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00158981

Soumis le : lundi 2 juillet 2007-10:28:01

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00158981 , version 1 (02-07-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00158981 , version 1

Citer

Christophe Gaquière, B. Boudart, P.A. Dhamlincourt. Spatial mapping of electroluminescence due to impact ionization effect in high electron mobility transistors. Applied Spectroscopy, 2000, 54, pp.1423-1428. ⟨hal-00158981⟩

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