Article Dans Une Revue
IEEE Microwave and Guided Wave Letters
Année : 2000
Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00158979
Soumis le : lundi 2 juillet 2007-10:28:01
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00158979 , version 1
Citer
Christophe Gaquière, S. Trassaert, B. Boudart, D. Theron, Y. Crosnier. High power GaN MESFET's on sapphire substrate. IEEE Microwave and Guided Wave Letters, 2000, 10, pp.19-20. ⟨hal-00158979⟩
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