Electron induced dissociation of SiH complexes in hydrogenated Si doped GaAs. Application to the fabrication of microstructures - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Superlattices and Microstructures Année : 2000

Electron induced dissociation of SiH complexes in hydrogenated Si doped GaAs. Application to the fabrication of microstructures

E. Constant
  • Fonction : Auteur
D. Bernard-Loridant
M. Constant
  • Fonction : Auteur
Jacques Chevallier
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00158581 , version 1 (29-06-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00158581 , version 1

Citer

S. Silvestre, E. Constant, D. Bernard-Loridant, M. Constant, Jacques Chevallier. Electron induced dissociation of SiH complexes in hydrogenated Si doped GaAs. Application to the fabrication of microstructures. Superlattices and Microstructures, 2000, 5/6, pp.431-435. ⟨hal-00158581⟩
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