Strained layer growth of Ga1-xInxP on GaAs (100) and GaP (100) substrates - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Applied Surface Science Année : 2000

Strained layer growth of Ga1-xInxP on GaAs (100) and GaP (100) substrates

X. Wallart
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
F. Mollot

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https://hal.science/hal-00158444

Soumis le : vendredi 29 juin 2007-08:01:49

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00158444 , version 1 (29-06-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00158444 , version 1

Citer

X. Wallart, F. Mollot. Strained layer growth of Ga1-xInxP on GaAs (100) and GaP (100) substrates. Applied Surface Science, 2000, 166, pp.446-450. ⟨hal-00158444⟩

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