Improved Monte Carlo algorithm for the simulation of delta-doped AlInAs/GaInAs HEMTs

J. Mateos-Lopez; T. Gonzalez; D. Pardo; Virginie Hoel; H. Happy; A. Cappy

Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electron Devices Année : 2000

Improved Monte Carlo algorithm for the simulation of delta-doped AlInAs/GaInAs HEMTs

(1) , , , , ,

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J. Mateos-Lopez

Fonction : Auteur

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

T. Gonzalez

Fonction : Auteur
PersonId : 757593
ORCID : 0000-0002-3706-3211

D. Pardo

Fonction : Auteur

Virginie Hoel

Fonction : Auteur
PersonId : 747991
IdHAL : virginie-hoel
ORCID : 0000-0003-4652-4742
IdRef : 121234223

H. Happy

Fonction : Auteur
PersonId : 748086
IdHAL : henri-happy
ORCID : 0000-0003-2065-8080
IdRef : 103891455

A. Cappy

Fonction : Auteur
PersonId : 9716
IdHAL : alain-cappy
ORCID : 0000-0002-1811-1054
IdRef : 056754701

Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00157880

Soumis le : mercredi 27 juin 2007-11:20:38

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Dates et versions

hal-00157880 , version 1 (27-06-2007)

Identifiants

HAL Id : hal-00157880 , version 1

Citer

J. Mateos-Lopez, T. Gonzalez, D. Pardo, Virginie Hoel, H. Happy, et al.. Improved Monte Carlo algorithm for the simulation of delta-doped AlInAs/GaInAs HEMTs. IEEE Transactions on Electron Devices, 2000, 47, pp.250-253. ⟨hal-00157880⟩

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