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Communication Dans Un Congrès Année : 2006

65 nm RFCMOS technologies with bulk and HR SOI substrate for millimeter wave passives and circuits characterized up to 220 GHz

F. Gianesello
  • Fonction : Auteur
D. Gloria
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S. Montusclat
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C. Raynaud
S. Boret
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C. Clement
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S. Dambrine
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Sylvie Lepilliet
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
F. Saguin
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P. Scheer
  • Fonction : Auteur
P. Benech
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J.M. Fournier
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00154919

Soumis le : vendredi 15 juin 2007-08:42:42

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00154919 , version 1 (15-06-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00154919 , version 1

Citer

F. Gianesello, D. Gloria, S. Montusclat, C. Raynaud, S. Boret, et al.. 65 nm RFCMOS technologies with bulk and HR SOI substrate for millimeter wave passives and circuits characterized up to 220 GHz. 2006, 4 pp. ⟨hal-00154919⟩

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