Article Dans Une Revue
Solid-State Electronics
Année : 2005
Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00154914
Soumis le : vendredi 15 juin 2007-08:21:25
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00154914 , version 1
Citer
Y. Guhel, B. Boudart, N. Vellas, Christophe Gaquière, E. Delos, et al.. Impact of plasma pre-treatment before SiNx passivation on AlGaN/GaN HFETs electrical traps. Solid-State Electronics, 2005, 49, pp.1589-1594. ⟨hal-00154914⟩
Collections
30
Consultations
0
Téléchargements