Current instabilities and deep level investigation on AlGaN/GaN HEMT's on silicon and sapphire substrates - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2004

Current instabilities and deep level investigation on AlGaN/GaN HEMT's on silicon and sapphire substrates

N. Sghaier
  • Fonction : Auteur
N. Yacoubi
  • Fonction : Auteur
J.M. Bluet
A. Souifi
  • Fonction : Auteur
G. Guillot
Christophe Gaquière
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
Jean-Claude de Jaeger

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https://hal.science/hal-00154889

Soumis le : vendredi 15 juin 2007-07:46:48

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00154889 , version 1 (15-06-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00154889 , version 1

Citer

N. Sghaier, N. Yacoubi, J.M. Bluet, A. Souifi, G. Guillot, et al.. Current instabilities and deep level investigation on AlGaN/GaN HEMT's on silicon and sapphire substrates. 2004, pp.672-675. ⟨hal-00154889⟩

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