TEM study of iridium silicide contact layers for low Schottky barrier MOSFETs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Archives of Metallurgy and Materials Année : 2006

TEM study of iridium silicide contact layers for low Schottky barrier MOSFETs

A. Laszcz
  • Fonction : Auteur
A. Czerwinski
  • Fonction : Auteur
J. Ratajczak
  • Fonction : Auteur
J. Katcki
  • Fonction : Auteur
N. Breil
  • Fonction : Auteur
G. Larrieu
  • Fonction : Auteur
Emmanuel Dubois
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
CV

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https://hal.science/hal-00152968

Soumis le : vendredi 8 juin 2007-09:25:43

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00152968 , version 1 (08-06-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00152968 , version 1

Citer

A. Laszcz, A. Czerwinski, J. Ratajczak, J. Katcki, N. Breil, et al.. TEM study of iridium silicide contact layers for low Schottky barrier MOSFETs. Archives of Metallurgy and Materials, 2006, 51, pp.551-554. ⟨hal-00152968⟩

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