0.12µm gate length In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As HEMTs on transferred substrate - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2002

0.12µm gate length In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As HEMTs on transferred substrate

X. Wallart
Sylvie Lepilliet
A. Cappy
E. Jalaguier
  • Fonction : Auteur
S. Pocas
  • Fonction : Auteur
B. Aspar
  • Fonction : Auteur
J. Mateos
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00152950 , version 1 (08-06-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00152950 , version 1

Citer

S. Bollaert, X. Wallart, Sylvie Lepilliet, A. Cappy, E. Jalaguier, et al.. 0.12µm gate length In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As HEMTs on transferred substrate. 2002, pp.101-105. ⟨hal-00152950⟩
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