Etude de HEMTs sur GaN

B. Boudart; Christophe Gaquière; Y. Guhel; Virginie Hoel; N. Vellas; M. Werquin; Jean-Claude de Jaeger

Communication Dans Un Congrès Année : 2001

Etude de HEMTs sur GaN

(1) , , , , , ,

1

B. Boudart

Fonction : Auteur
PersonId : 16148
IdHAL : bertrand-boudart
IdRef : 060260092

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

Christophe Gaquière

Fonction : Auteur
PersonId : 746853
IdHAL : christophe-gaquiere
ORCID : 0000-0003-3082-2489
IdRef : 059765615

Y. Guhel

Fonction : Auteur

Virginie Hoel

Fonction : Auteur
PersonId : 747991
IdHAL : virginie-hoel
ORCID : 0000-0003-4652-4742
IdRef : 121234223

N. Vellas

Fonction : Auteur

M. Werquin

Fonction : Auteur

Jean-Claude de Jaeger

Fonction : Auteur
PersonId : 747322
IdHAL : jean-claude-dejaeger

Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00152669

Soumis le : jeudi 7 juin 2007-11:35:28

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Dates et versions

hal-00152669 , version 1 (07-06-2007)

Identifiants

HAL Id : hal-00152669 , version 1

Citer

B. Boudart, Christophe Gaquière, Y. Guhel, Virginie Hoel, N. Vellas, et al.. Etude de HEMTs sur GaN. GDR Matériaux Grand Gap, 2001, Grenoble, France. ⟨hal-00152669⟩

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