Influence du dopage dans les transistors HEMT à canal composite pour amplification de puissance en ondes millimétriques - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2001
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00152653 , version 1 (07-06-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00152653 , version 1

Citer

Didier Theron, Mustafa Boudrissa, Elisabet Delos, X. Wallart, Jean-Claude de Jaeger. Influence du dopage dans les transistors HEMT à canal composite pour amplification de puissance en ondes millimétriques. Actes des 12èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2001, May 2001, Poitiers, France. ⟨hal-00152653⟩
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