Communication Dans Un Congrès
Année : 2001
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https://hal.science/hal-00152651
Soumis le : jeudi 7 juin 2007-11:27:00
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00152651 , version 1
Citer
Y. Guhel, B. Boudart, Virginie Hoel, M. Werquin, Christophe Gaquière, et al.. Comportement électrique à haute température de transistors HEMT's AlGaN/GaN. Actes des 12èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2001, 2001, Poitiers, France. ⟨hal-00152651⟩
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