HEMT structures and technology on GaAs and InP for power amplification in millimeter wave range - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2001

HEMT structures and technology on GaAs and InP for power amplification in millimeter wave range

D. Theron
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
Y. Cordier
X. Wallart
S. Bollaert
M. Zaknoune
B. Bonte
  • Fonction : Auteur
Christophe Gaquière
Michel Rousseau
F. Mollot
A. Cappy
R. Fauquembergue
  • Fonction : Auteur
Jean-Claude de Jaeger

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https://hal.science/hal-00152625

Soumis le : jeudi 7 juin 2007-11:13:04

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00152625 , version 1 (07-06-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00152625 , version 1

Citer

D. Theron, Y. Cordier, X. Wallart, S. Bollaert, M. Zaknoune, et al.. HEMT structures and technology on GaAs and InP for power amplification in millimeter wave range. 2001, pp.53-56. ⟨hal-00152625⟩

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