Article Dans Une Revue
Electronics Letters
Année : 2001
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https://hal.science/hal-00152596
Soumis le : jeudi 7 juin 2007-10:52:20
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00152596 , version 1
Citer
B. Boudart, Christophe Gaquière, Y. Guhel, Jean-Claude de Jaeger, M.A. Poisson. Electrical effects of SiNX deposition on GaN MESFETs. Electronics Letters, 2001, 37, pp.527-528. ⟨hal-00152596⟩
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