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Transistors à effet de champ de la filière AlInAs/GaInAs sur substrats GaAs et InP pour amplification de puissance en ondes millimétriques : étude et réalisation

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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00152594
Contributor : Collection IEMN Connect in order to contact the contributor
Submitted on : Thursday, June 7, 2007 - 10:52:20 AM
Last modification on : Wednesday, March 23, 2022 - 3:50:22 PM

Identifiers

  • HAL Id : hal-00152594, version 1

Citation

M. Boudrissa. Transistors à effet de champ de la filière AlInAs/GaInAs sur substrats GaAs et InP pour amplification de puissance en ondes millimétriques : étude et réalisation. 2001. ⟨hal-00152594⟩

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