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Autre Publication Scientifique Année : 2001

Transistors à effet de champ de la filière AlInAs/GaInAs sur substrats GaAs et InP pour amplification de puissance en ondes millimétriques : étude et réalisation

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Sciences de l'ingénieur [physics]

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https://hal.science/hal-00152594

Soumis le : jeudi 7 juin 2007-10:52:20

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00152594 , version 1 (07-06-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00152594 , version 1

Citer

Mustafa Boudrissa. Transistors à effet de champ de la filière AlInAs/GaInAs sur substrats GaAs et InP pour amplification de puissance en ondes millimétriques : étude et réalisation. 2001. ⟨hal-00152594⟩

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