Skip to Main content Skip to Navigation
Other publications

Transistors à effet de champ de la filière AlInAs/GaInAs sur substrats GaAs et InP pour amplification de puissance en ondes millimétriques : étude et réalisation

M. Boudrissa 1 
1 IEMN - Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
Document type :
Other publications
Complete list of metadata
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00152594
Contributor : Collection IEMN Connect in order to contact the contributor
Submitted on : Thursday, June 7, 2007 - 10:52:20 AM
Last modification on : Wednesday, March 23, 2022 - 3:50:22 PM

Identifiers

  • HAL Id : hal-00152594, version 1

Collections

CNRS | UNIV-VALENCIENNES | IEMN | UNIV-LILLE

Citation

M. Boudrissa. Transistors à effet de champ de la filière AlInAs/GaInAs sur substrats GaAs et InP pour amplification de puissance en ondes millimétriques : étude et réalisation. 2001. ⟨hal-00152594⟩

Export

BibTeX TEI DC DCterms EndNote Datacite

Share

Metrics

Record views

35