Article Dans Une Revue
Solid-State Electronics
Année : 2001
Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00152162
Soumis le : mercredi 6 juin 2007-10:44:50
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00152162 , version 1
Citer
N. Pic, A. Glachant, S. Nitsche, J.Y. Hoarau, D. Goguenheim, et al.. Determination of the electrical properties of ultrathin silicon-based dielectric films : thermally grown SiNx. Solid-State Electronics, 2001, 45, pp.1265-1270. ⟨hal-00152162⟩
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