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Determination of the electrical properties of ultrathin silicon-based dielectric films : thermally grown SiNx
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IEMN - Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 ([Univ. Lille, CNRS, Ecole Centrale Lille, Yncréa-ISEN, UVHC] ––
Laboratoire Central – Cité Scientifique – Avenue Poincaré – CS 60069 – 59652 VILLENEUVE D’ASCQ CEDEX - France)
- Centrale Lille (École Centrale de Lille - Cité Scientifique - CS 20048 59651 Villeneuve d'Ascq Cedex - France)
- Institut supérieur de l'électronique et du numérique (ISEN) (France)
- UVHC - Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis (Campus Mont Houy 59313 Valenciennes Cedex 9 - France)
- Université de Lille (Lille - France)
- CNRS - Centre National de la Recherche Scientifique : UMR8520 (France)
- UPHF - Université Polytechnique Hauts-de-France (Campus Mont Houy 59313 Valenciennes Cedex 9 - France)
Document type :
Journal articles
Complete list of metadata
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00152162
Contributor : Collection Iemn Connect in order to contact the contributor
Submitted on : Wednesday, June 6, 2007 - 10:44:50 AM
Last modification on : Wednesday, March 23, 2022 - 3:50:21 PM
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Identifiers
- HAL Id : hal-00152162, version 1
Collections
IEMN | CNRS | UNIV-LILLE | UNIV-VALENCIENNES
Citation
N. Pic, A. Glachant, S. Nitsche, J.Y. Hoarau, D. Goguenheim, et al.. Determination of the electrical properties of ultrathin silicon-based dielectric films : thermally grown SiNx. Solid-State Electronics, Elsevier, 2001, 45, pp.1265-1270. ⟨hal-00152162⟩
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