Design and realization of sub-100nm gate length HEMTs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2001

Design and realization of sub-100nm gate length HEMTs

S. Bollaert
J. Mateos
X. Wallart
A. Cappy
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00151761 , version 1 (05-06-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00151761 , version 1

Citer

T. Parenty, S. Bollaert, J. Mateos, X. Wallart, A. Cappy. Design and realization of sub-100nm gate length HEMTs. 2001, pp.626-629. ⟨hal-00151761⟩
19 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More