Détermination de caractéristiques I(V) en régime dynamique grand signal de transistors HEMTs AlGaN/GaN sur substrat saphir - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2002

Détermination de caractéristiques I(V) en régime dynamique grand signal de transistors HEMTs AlGaN/GaN sur substrat saphir

N. Vellas
  • Fonction : Auteur
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
Christophe Gaquière
Y. Guhel
  • Fonction : Auteur
B. Boudart
D. Ducatteau
  • Fonction : Auteur
E. Delos
  • Fonction : Auteur
M.A. Poisson
  • Fonction : Auteur
Jean-Claude de Jaeger

Collection IEMN  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00149715

Soumis le : lundi 28 mai 2007-11:21:43

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00149715 , version 1 (28-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00149715 , version 1

Citer

N. Vellas, Christophe Gaquière, Y. Guhel, B. Boudart, D. Ducatteau, et al.. Détermination de caractéristiques I(V) en régime dynamique grand signal de transistors HEMTs AlGaN/GaN sur substrat saphir. 3ème Ecole Thématique CNRS : Matériaux Nitrures d'Eléments III, 2002, La Plagne, France. ⟨hal-00149715⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CNRS UNIV-VALENCIENNES IEMN UNIV-LILLE
14 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More