Caractérisation de transistors à effet de champ à base de GaN

Christophe Gaquière (1) , Raphaël Aubry (2) , Yannick Guhel (1) , A. Minko (1) , Nicolas Vellas , Matthieu Werquin (1) , B. Boudart (3) , Simone Cassette (4) , Yvon Cordier (1) , Sylvain Laurent Delage (5) , E. Delos (1) , Jean-Claude de Jaeger (1) , Damien Ducatteau (1) , H. Gerard (1)

1 IEMN - Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
2 III-V Lab - Alcatel-Thalès III-V lab
3 LUSAC - Laboratoire Universitaire des Sciences Appliquées de Cherbourg
4 THOMSON-CSF LCR - Thomson-CSF Laboratoire Central de Recheche
5 THALES [France]

Domaines: Sciences de l'ingénieur [physics]

Christophe Gaquière, Raphaël Aubry, Yannick Guhel, A. Minko, Nicolas Vellas, et al.. Caractérisation de transistors à effet de champ à base de GaN. 3ème Ecole Thématique CNRS : Matériaux Nitrures d'Eléments III, 2002, La Plagne, France. ⟨hal-00149714⟩