AlInAs/GaInAs HEMTs for power amplification at 60 GHz - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2002

AlInAs/GaInAs HEMTs for power amplification at 60 GHz

M. Zaknoune
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
X. Wallart
F Medjdoub
M. Ardouin
  • Fonction : Auteur
B. Bonte
  • Fonction : Auteur
D. Theron
Jean-Claude de Jaeger

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https://hal.science/hal-00149711

Soumis le : lundi 28 mai 2007-11:21:41

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00149711 , version 1 (28-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00149711 , version 1

Citer

M. Zaknoune, X. Wallart, F Medjdoub, M. Ardouin, B. Bonte, et al.. AlInAs/GaInAs HEMTs for power amplification at 60 GHz. Workshop on Compound Semiconductor Materials and Devices, WOCSEMMAD 2002, 2002, Austin, TX, United States. ⟨hal-00149711⟩

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