AlGaN/GaN HEMTs on resistive Si(111) substrate : from material assessment to RF power performances - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2002

AlGaN/GaN HEMTs on resistive Si(111) substrate : from material assessment to RF power performances

Y. Cordier
F. Semond
  • Fonction : Auteur
P. Lorenzini
  • Fonction : Auteur
N. Grandjean
F. Natali
  • Fonction : Auteur
B. Damilano
J. Massies
  • Fonction : Auteur
Virginie Hoel
A. Minko
  • Fonction : Auteur
N. Vellas
  • Fonction : Auteur
Christophe Gaquière
Jean-Claude de Jaeger
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
B. Dessertenne
  • Fonction : Auteur
S. Cassette
  • Fonction : Auteur
Et Al.
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00149701

Soumis le : lundi 28 mai 2007-11:04:14

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00149701 , version 1 (28-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00149701 , version 1

Citer

Y. Cordier, F. Semond, P. Lorenzini, N. Grandjean, F. Natali, et al.. AlGaN/GaN HEMTs on resistive Si(111) substrate : from material assessment to RF power performances. 2002, pp.61-64. ⟨hal-00149701⟩

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